Thiết bị phân tích hợp kim Foundry Master Smart (Máy quang phổ phân tích hợp kim hay còn gọi là Máy phân tích thép, máy phân tích nhôm, máy phân tích đồng, máy quang phổ, thiết bị quang phổ, thiết bị phân tích hợp kim, máy kiểm tra thành phần vật liệu, thiết bị kiểm tra thành phần kim loại, máy kiểm tra mác thép, máy test thành phần vật liệu) đang được các doanh nghiệp và các tổ chức hoạt động trong lĩnh vực Đúc kim loại đen, Đúc kim loại màu, Gia công kim loại, Luyện kim đen, Luyện kim màu, Phân tích vật liệu, Nghiên cứu vật liệu sử dụng ngày càng nhiều hơn để giám sát thành phần hóa học của các nguyên tố trong kim loại.
Khác với các dòng máy tương tự của các hãng sản xuất khác, thiết bị của hãng Hitachi high-tech sử dụng nhiều công nghệ vượt trội như sử dụng cảm biến CCD, công nghệ Jet- stream, auto profiling…
Xem thêm chi tiết thiết bị trên website của hãng sản xuất Hitachi high-tech
Tìm kiếm tin cậy: Máy phân tích thép, Máy phân tích đồng, Máy phân tích nhôm, Máy quang phổ, Thiết bị phân tích hợp kim
Máy chính | |
Kích thước | 280 x 415 x 665 mm (HxWxD) |
Nguồn điện | 90-250 VAC (50/60 Hz) |
Khối lượng | 35 kg |
Công suất tiêu thụ trung bình | Máy chính 700W |
Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 50W (Công suất nguồn 100W) |
Khí Argon | |
Độ tinh khiết | ≥5.0 |
Áp lực | 3 Bar |
Hệ thống quang học | |
Hệ quang học |
Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. |
Dải bước sóng phân tích | 175 – 420nm (mở rộng đến 671nm cho Cu, Na,Li) |
Cảm biến | Cảm biến Multi-CCD (2048 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
Độ phân giải CCD | 7 pico-meter |
Độ tương phản | 1.75 nm/m (1st order) |
Tiêu cự | 300 mm |
Holographic grating | 1774 grooves/mm |
Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn Cài đặt các thông số bằng phần mềm Tần số: 80 – 500 Hz Điện áp: 250- 500 V |
Bộ giá kẹp mẫu | Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. |
Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố chính | C: 30ppm; Si: 20ppm; P: 20ppm; S:20ppm; Mn:20ppm |
Hệ thống đang xử lý, vui lòng chờ